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Contrario a lo que pasa con la mayoría de los defectos, en esta ocasión un defecto no es parte del problema sino de la solución.

Investigadores de la University of South Florida (USF) han desarrollado una técnica para convertir los defectos en el grafeno en diminutos cables metálicos, lo cual podría ser la solución a un problema cada vez mayor en el desarrollo de futuros dispositivos electrónicos. Los transistores basados en silicio se han reducido a su escala más pequeña posible, de allí que se necesiten avances en nuevos materiales para la próxima generación de dispositivos electrónicos.

Muchos creen que el grafeno podría reemplazar al silicio como el material para construir prácticamente toda la electrónica. Sin embargo, no es sencillo trabajar con grafeno. Para ser útiles en aplicaciones electrónicas como circuitos integrados, los pequeños defectos deben ser introducidos en el material. Anteriores intentos de hacer los defectos necesarios determinaron que sólo los bordes de delgadas láminas de grafeno o nanocintas de grafeno poseían una estructura de defecto útil. Sin embargo, los bordes atómicamente agudos son difíciles de crear, debido a la rugosidad natural y la química incontrolada de enlaces colgantes en el borde de las muestras.

El equipo de USF ha encontrado ahora una forma de crear un defecto bien definido conteniendo anillos de carbono octagonales y pentagonales incrustados en una hoja de grafeno perfecta. Este defecto actúa como un cuasi alambre metálico dimensional que fácilmente conduce la corriente eléctrica. Estos defectos podrían ser utilizados como interconexiones metálicas o elementos electrónicos a escala atómica.

Si bien este nuevo descubrimiento no permitirá construir nanodispositivos inmediatamente, si da un paso crucial en el desarrollo de pequeños y más poderosos dispositivos electrónicos en un futuro no muy lejano.

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La electrónica más rápida y pequeña gracias a los defectos del grafeno