27 de junio de 2008
Los investigadores pueden hacer crecer bosques de nanocables de cobre de longitud y diámetro controlados, adecuados para su integración en dispositivos electrónicos.
Los nanocables de cobre se hacen crecer en diversas superficies incluyendo vidrio, metal y plástico. El proceso de crecimiento es compatible con los protocolos actuales del procesamiento del silicio.
Típicamente, los nanocables de 70 a 250 nanómetros de diámetro se hacen crecer en un sustrato de silicio a temperaturas de entre 200 y 300 grados Celsius, y no requieren de ningún catalizador. El tamaño de los nanocables se controla por las condiciones del proceso, como el tipo de sustrato, su temperatura y el tiempo de deposición.
Para demostrar la viabilidad del proceso de crecimiento de baja temperatura, los investigadores primero hicieron crecer un conjunto de nanocables de cobre en un sustrato de silicio estampado. Entonces formaron una pantalla FED basada en los manojos de nanocables del "bosque".
En una pantalla FED, los electrones emitidos desde las puntas de los nanocables inciden sobre un recubrimiento de fósforo para producir una imagen. Como los investigadores utilizaron un conjunto de nanocables para cada píxel en su pantalla, los fallos de algunos de ellos con el paso del tiempo no estropean el dispositivo.
Además de trabajar en pantallas flexibles hechas de nanocables de cobre, los investigadores también lo están haciendo con nanocables de plata.
Los autores de este estudio son Kyekyoon (Kevin) Kim, Hyungsoo Choi, Chang Wook Kim, Wenhua Gu, Martha Briceno e Ian Robertson.
Leer noticia original: www.laflecha.net
Publicado por : itampico @ 5:39 p.m. |
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